Especificações Técnicas - MTFDHBE3T8TDF-1AW1ZABYY
SSD 2,5 NVMe com tecnologia 3D TLC NAND, velocidades de leitura/escrita de 3000MB/s e 1900MB/s, 520K/95K IOPs (R/W). Formato U.2/PCIe Gen3, MTTF de 2 milhões de horas e TBW de 9.8PB, ideal para data centers.
Código da peça | MTFDHBE3T8TDF-1AW1ZABYY |
Capacidade | 3.84TB |
Leitura sequencial | 3000MB/s |
Gravação sequencial | 1900MB/s |
Leitura randômica até (IOPS) | 520K |
Gravação Randômica até (IOPS) | 95K |
Resistência DWPD (unidade de gravações por dia) | 9.8 |
Formato | U.2 2,5" |
Interface | PCIe Gen3 1x4, 2x2 NVMe |
NAND | TLC NAND 3D Micron de 96 camadas |
MTTF (M horas) | 2.000.000 horas |
Uber | 1 por 10^17 |
Potência de leitura sequencial | 12W MAX |
Potência de gravação sequencial | 12W MAX |
Temperatura em operação (mín, máx °C) | 0-70°C |
Tamanho (Altura x Largura x Profundidade em mm) | 100,45 x 69,85 x 7,00 |
Peso | <70g |
Características avançadas | Flex Capacity™, criptografia AES de 256 bits, SED de 256 bits, proteção contra perda de energia para dados em trânsito, proteção de caminho de dados corporativos de ponta a ponta, firmware seguro, monitoramento térmico adaptável, fácil de instalar (U.2 hot pluggable), Ferramenta de gerenciamento de SSD executivo de armazenamento, RAIN, porta dupla com reservas, redefinição de subsistema NVMe, NVMe-MI sobre SMBus, ativação de firmware sem reinicialização, suporte a T-10 DIF (520,4104,4160), compatível com TAA 3. Não formatado. 1 GB = 1 bilhão de bytes. A capacidade formatada é menor. |
Resistência TBW (Total de bytes escritos em TB) | 3328 |
Resistência TBW (Total de bytes escritos em TB) | 68678 |
*As especificações técnicas dos produtos podem variar conforme o fabricante.
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